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기술개발 목적 & 기술의 효과
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> > > - 최근 게이트와 채널 사이의 커패시턴스를 증가시키고, MOS 트랜지스터의 동작 특성을 향상시키 기 위하여 여러 가지 연구가 진행되고 있음 - 유전막은 얇은 등가산화막 두께를 유지하면서 게이트 전극과 채널 영역간의 누설 전류를 감소시킬 수 있으며, 기존의 실리콘 산화막을 대체하기 위해 고유전 상수를 갖는 고유전막에 대한 연구가 활 발히 진행 중이며, 본 발명을 통해 트랜지스터의 문턱 전압(Vt) 조절이 용이한 반도체 장치를 제공하 고자 함 > >
웹 에디터 끝
기술의 효과
- 본 발명의 반도체 장치는 기판, 트렌치를 포함하는 층간 절연막, 트렌치 내부에 형성되는 인터페 이스막, 게이트 절연막, 캡핑막, 식각방지막, 조절막, 확산막, 확산 방지막 및 게이트 메탈 구조체 등을 포함하고 있음 - 이를 통해, 열처리 수행 동안 메탈 구조체에 포함된 확산물이 게이트 절연막 내부 또는 상부로 확산되지 않는 트랜지스터의 문턱 전압(Vt) 조절이 용이한 반도체 장치반도체 장치를 제조할 수 있음
적용 산업분야
적용 산업분야 내용
반도체
적용 산업분야 사진
특장점 사진 삭제
적용 산업분야 사진 설명
시장규모 및 전망
시장규모 및 전망 내용
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
시장규모 및 전망 사진
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