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질화갈륨계 반도체 구조물 및 이의 제조 방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

질화갈륨계 반도체 구조물 및 이의 제조 방법

보유기관 및 연구자 : 이상태

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

시장 및 기술동향: - 전 세계 화합물 반도체 시장은 예측기간 중 6.3%의 CAGR로 확대되어 2020년 320억
달러에서 2025년에는 434억 달러 규모로 성장할 것으로 예측됨
- 전 세계 질화갈륨(GaN) 반도체 디바이스 시장규모는 예측기간 중 24.4%의 CAGR로
확대되고, 2030년에는 124억 7,000만 달러 규모로 성장할 것으로 예측됨
-차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력반도체가 스마트폰 고속충전기·5G
이동통신(5세대)·자동차 분야를 중심으로 연평균 70%대 성장을 기록할 것임

특장점

단순한공정: 별도의 공정 없이 AlN 버퍼층의 Al과 N의 성장 순서를 조절하여 GaN 박막층의 상부면 극성을 선택할 수 있기 때문에 간단한공정으로 원하는 극성의 소자 형성이 可

광추출효율증가: 특히 N-극성의 질화갈륨게 반도체 구조물 상에 LED 소자를 형성할 경우, pGaN의 표면을 거칠게 처리할 수 있어 광 추출 효율이 증가함