메모리 유닛의 제조 방법, 이에 따라 제조된 메모리 유닛, 메모리 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 메모리 장치[METHOD OF MANUFACTURING A MEMORY UNIT, MEMORY UNIT MANUFACTURED BY THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME]
페이지 정보
최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-27/115
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존속기간 만료예정일
2027-12-20
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출원번호
(출원일)10-2007-0134109
(2007-12-20)
(2007-12-20) -
등록번호
(등록일)10-1343362
(2013-12-13)
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기술분야
- 기술개발 목적
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-현재 나노 와이어를 제작하는 방법은 탑 다운 방식과 바텀 업 방식으로, 탑 다운 방식은 일정 크기 이하의 나노 와이어들을 형성하기 어려워 고집적화를 구현하는 것이 용이하지 않음
-이를 극복하기 위해 이중 패터닝 방식이 개발되었으나 공정이 복잡함
-바텀 업 방식은 원하는 위치에 정렬된 형태로 나노 와이어들을 형성하기가 쉽지 않을 뿐만 아니라, 기판 상에 나노와이어를 수직하게 성장시켜 다이오드 및 메모리 유닛을 형성할 경우, 계속해서 동일 기판 위에 촉매 패터닝 및 고온 열처리 공정을 수행해야 하므로 공정이 어려움
- 기술의 효과
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-바텀 업 방식으로 나노 와이어들을 성장시킨 후, 이를 이동하여 기판과 평행하게 배치하고 나노 와이어들을 식각 마스크로 사용하여 전극 패턴을 형성함으로써, 크로스 포인트 어레이 타입의 메모리 유닛을 간단한 공정으로 제조할 수 있음
-또한, 나노 와이어를 식각 마스크로 사용하여 다이오드 및 도전막을 식각함으로써 하부 전극 및 워드 라인을 형성하고, 이와 유사하게 나노 와이어를 식각 마스크로 사용하여 상부 전극 및 비트 라인을 형성하여 크로스 포인트 어레이 타입의 메모리 장치를 간단한 공정으로 제조할 수 있음
-뿐만 아니라, 메모리 장치를 수직하게 적층함으로써, 복수 개의 메모리 장치가 적층된 적층형 메모리 장치를 간단한 공정으로 제조할 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨