저항성 메모리 장치 및 그것의 구동방법[resistive memory device and thereof operation method]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
G11C-013/00
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존속기간 만료예정일
2032-10-12
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출원번호
(출원일)10-2012-0113273
(2012-10-12)
(2012-10-12) -
등록번호
(등록일)10-1998673
(2019-07-04)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 크로스 포인트 구조의 메모리 셀 어레이를 갖는 저항성 메모리 장치에서 셀들 간의 간섭에 기 인하여 발생되는 동작 오류를 줄이는 개선된 구동방법을 제공함
- 기술의 효과
- - 설정된 초기화 전압을 선택 및 비선택된 워드라인들과 선택 및 비선택된 비트라인들로 인가한 다음, 상기 선택 및 비선택된 워드라인들과 상기 선택 및 비선택된 비트라인들을 전기적으로 플로팅 상태로 만드는 단계들을 포함한한다. 또한, 상기 플로팅 유지 상태에서, 동작모드에 따 라 설정된 동작전압을 라인 딜레이 타임구간 동안 상기 선택된 워드라인과 상기 선택된 비트라 인으로 인가하는 단계를 포함함으로써, 라인 딜레이 타임구간 동안 동작모드에 따라 설정된 동 작전압이 선택된 메모리 셀에 인가되므로 선택된 메모리 셀과 주변 셀들 간의 간섭에 기인하여 발생되는 동작 오류가 감소될 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨