이온 주입 방법[METHOD OF IMPLATATING IONS]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-021/027
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존속기간 만료예정일
2027-11-01
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출원번호
(출원일)10-2007-0111067
(2007-11-01)
(2007-11-01) -
등록번호
(등록일)10-1344019
(2013-12-16)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 고에너지 이온주입 시 이온주입 마스크 레이어의 종횡비(Aspect Ratio)를 증가시키는 이온 주입 방법을 제공함
- 고에너지 이온주입 시 포토레지스트의 두께가 증가로 인한 종횡비 증가에 따른 패턴 리닝 및 리프팅이 발생됨을 방지하는 이온 주입 방법을 제공함
- 기술의 효과
- - 필드영역의 고에너지 이온주입 시 하드마스크를 적용하여 종횡비(Aspect ratio) 증가에 의한 패 턴 리닝(Pattern leaning)현상과 포토레지스트의 리프팅현상의 발생을 방지할 수 있는 이점이 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨