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커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법[Capacitor-less Dynamic semiconductor memory device and method of operating the same]

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

기술 정보
  • 기술분야

    반도체

  • 현재 권리자

    삼성전자 주식회사

  • Main IPC

    G11C-011/405

  • 존속기간 만료예정일

    2026-11-24

  • 출원번호
    (출원일)

    10-2006-0117007
    (2006-11-24)
    (2006-11-24)

  • 등록번호
    (등록일)

    10-1295775
    (2013-08-06)

기술개발 목적
- 플로팅바디 트랜지스터를 가지는 커패시터리스 메모리 셀을 구비하는 커패시터리스 동적 반도 체 메모리 장치 및 이 장치의 동작 방법을 제공함
- 다수의 비트라인들이 전압감지증폭기를 공유하는 트윈셀 구조의 커패시터리스 동적 반도체 메 모리 장치 및 커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치의 동작 방법을 제공함
기술의 효과
- 커패시터리스 동적 반도체 메모리 장치는 플로팅바디 트랜지스터를 이용한 트윈셀 구조를 갖는 메모리 블록의 소정 개수의 비트라인쌍들에 대하여 공유 비트라인 전압감지 증폭기를 구비하므 로 레이아웃 면적 증가를 방지할 수 있음
- 인에이블된 워드 라인과 선택된 비트 라인사이에 연결된 메모리 셀들에 대해서만 데이터를 쓰 고 읽는 동작이 수행되기 때문에 메모리 셀들을 통하여 흐르는 전류 소모를 줄일 수 있음
적용 산업분야

*출처 : 삼성전자
반도체

시장규모 및 전망

*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨

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