반도체 발광소자 및 이의 제조방법[SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-033/22
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존속기간 만료예정일
2031-10-14
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출원번호
(출원일)10-2011-0105342
(2011-10-14)
(2011-10-14) -
등록번호
(등록일)10-1285164
(2013-07-05)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 누설 전류를 차단하고 발광 파장을 조절할 수 있는 반도체 발광소자 및 이의 제조방법을 제공 함
- 가시광 영역의 모든 파장대를 구현할 수 있는 발광소자를 제공함
- 반도체 발광소자는, 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 유전체 패턴이 제거된 영역에서 재성장 반도체층의 일부가 재성장됨으로써 절연체 마스크 계면과 반도체층 사이의 계면에서 전류가 누 설되는 것을 차단할 수 있음
- 기술의 효과
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- 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 유전체 패턴이 제거된 영역에서 재성장을 통해 재성장 반도 체층이 형성됨으로써 절연체 마스크 계면과 반도체층 사이의 계면에서 전류가 누설되는 것을 차단할 수 있음
- 재성장 반도체층의 피라미드 사면과 바닥면 상에 형성되는 활성층의 두께 및 인듐(In)의 조성비 를 달리하여 다양한 파장대의 빛을 발생시킬 수 있으며, 발광소자 전체의 발광 파장을 조절할 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨