가변 저항 메모리 소자 [Variable resistive memory device]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 27/115
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존속기간 만료예정일
2032-02-28
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출원번호
(출원일)10-2012-0020401
(2012.02.28) -
등록번호
(등록일)10-1901322
(2018.09.17)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 기존의 플래시 메모리가 스케일링의 한계에 도달하여 이를 대체할 수 있는 비휘발성 메모리로서 가변 저항성 재료를 이용한 효율적인 비휘발성 메모리 소자를 제조하기 위해 창안된 것임 - 낮은 콘택 저항을 가지는 콘택층을 형성하여 콘택 저항을 줄일 수 있는 가변 저항 메모리 소자 제조 방안이 필요함
- 기술의 효과
- - 본 발명의 메모리 소자는 콘택층은 기판과 콘택 플러그 사이의 계면 저항을 충분하게 감소시킬 수 있고, 기판 상에 형성 수 있는 원하지 않는 실리사이드 물질을 형성하지 않을 수 있으며 신뢰 성이 향상된 메모리 소자를 생산할 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행