반도체 장치의 게이트 형성 방법 [METHOD FOR FORMING GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L 21/8238
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존속기간 만료예정일
2030-10-06
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출원번호
(출원일)10-2010-0097326
(2010.10.06) -
등록번호
(등록일)10-1777662
(2017.09.06)
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기술분야
- 기술개발 목적
- - 본 발명은 P형 트랜지스터 영역의 금속막이 식각으로 인해 손상되는 문제를 해결하기 위해 창안 된 것으로, 식각으로 인한 손상을 방지하는 반도체 장치의 게이트 형성 방법 및 공정이 단순화되어 생산시간이 단축되는 반도체 장치의 게이트 형성 방법을 제공하고자 함
- 기술의 효과
- - 제1 희생막 대신에 제1 금속인 알루미늄을 직접 사용함으로써 n형 트랜지스터를 구성하는 제1 영역(N)을 미리 형성할 수 있어 공정을 단순화 시킬 수 있음
- 적용 산업분야
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반도체
*출처 : 첨단 헬로티
- 시장규모 및 전망
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반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨
*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행