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플래시 메모리 장치 및 그것의 검증 방법 [FLASH MEMORY DEVICE AND VERIFY METHOD THEREOF]

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

기술 정보
  • 기술분야

    반도체

  • 현재 권리자

    삼성전자 주식회사

  • Main IPC

    G11C 16/34

  • 존속기간 만료예정일

    2030-02-03

  • 출원번호
    (출원일)

    10-2010-0010065
    (2010.02.03)

  • 등록번호
    (등록일)

    10-1662269
    (2016.09.27)

기술개발 목적
- 본 발명은 플래시 메모리 장치 및 그것의 검증 방법에 관한 것으로, 플래시 메모리 장치는 데이 터를 저장하는 메모리 셀, 메모리 셀의 정보를 독출하는 감지 증폭기, 감지 증폭기에 부하 전류를 제공하는 부하 전류 입력부 및 메모리 셀 정보 독출 시 부하 전류가 제공되도록 부하 전류 입력부 를 제어하고, 메모리 셀이 프로그램된 메모리 셀이면 프로그램 검증 전압을 이용하여 검증하고, 메 모리 셀이 소거된 메모리 셀이면 보상된 소거 검증 전압을 이용하여 메모리 셀을 검증하는 제어 회로를 포함함
기술의 효과
- 본 발명의 노어형 플래시 메모리 장치는 동작 시간이 감소하고, 검증시간이 감소함 - 검증 코드 독출을 위한 추가적인 메모리를 사용하지 않고도 노어 플래시 메모리 내에서 검증 및 검증 코드 독출 동작이 이루어짐
적용 산업분야
플래시 메모리

*출처 : 삼성반도체이야기

시장규모 및 전망
글로벌 IT기업의 빅데이터와 클라우드 분야 투자 가속화로 SSD와 데이터센터 수요가 급증하면서 낸드플래시 시장 수요가 증가하고 있음

*출처 : 삼성반도체이야기

우수기술 Gyeonggi Technology Market