금속산화물반도체소자및 그제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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금속 산화물, 배리어층, 메타모픽 버퍼층, 게이트 산화막
- 기술개요
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InAlAs 배리어층을일정두께산화시켜게이트산화막을형성하고AlAs 희생층을통해 메타모픽버퍼를제거하여이종기판에전사하는금속산화물반도체소자및그제조방법
✓ 메타모픽(metamorphic)버퍼 – GaAs와 격자 상수가 다른 GaAs기판 위에 에피택셜층을 성장시키기 위한 수단으로 변성 버퍼층
- 주요 기술내용
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• 종래기술의 문제점
게이트산화막증착전기판처리과정에서표면에잔류한오염물질또는
먼지(Particle) 발생시반도체와 산화물사이에계면오염및결함이발생할수있어
우수한계면을얻기어려움
• 본 기술의 해결방안
- 시장 및 기술동향
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- 나노금속산화물시장규모는예측기간중6% 이상의CAGR로성장할것으로예측되고, 질화
갈륨RF 반도체소자시장은예측기간(2021-2027)동안30%의CAGR 로성장할것으로예상됨
- 무선인프라에대한모바일전화,라디오및텔레비젼방송,MRI 기계,레이더,우주 및위성
통신뿐만아니라, 군통신등에도RF GaN반도체장치에중요한역할을함
- 질화갈륨(GaN)을 수 있는 재료의 생산에 사용된 반도체는 전원 장치뿐만 아니라 RF
구성 요소 및 발광 다이오드(Led). GaN 은 전력 변환,RF 및 아날로그 응용 분야에서
실리콘 반도체의 변위 기술이 될 수있는 능력이 입증됨
- 기술활용 분야
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✓ 절연체 또는 유전체로서 다양한 전자 소자(반도체)에 활용 가능
스마트폰
- 기술활용 분야
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✓ 플렉서블기기분야 - 플렉서블디스플레이,웨어러블디바이스등
바이오 센서
- 기술활용 분야
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✓ 센서분야 -바이오센서,가스센서등
플렉서블 디스플레이
- 특장점
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- 간단한공정
- 배리어층을선택적으로산화시켜게이트 산화막을형성함으로써별도의원자층증착과 같은고가의증착공정없이게이트산화막 구현可
- 소자동작시발생하는열을효과적으로방출
- 메타모픽버퍼를이용하여In의함유량이 높은채널층을형성할수있고, 이후이를 제거함으로써소자동작시발생하는열을 효과적으로방출