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금속산화물반도체소자및 그제조방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
금속산화물반도체소자및 그제조방법
보유기관 및 연구자 : 김종민
  • 특허정보

    금속 산화물 반도체 소자 및 그 제조방법 (No : 10-2021-0121215 )

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
HEMT, 금속 산화물, AlxGa1-xAs층, 게이트 산화막
기술개요
반도체층(AlxGa1-xAs층)을선택적으로산화시켜게이트산화막을형성할수있는금속 산화물반도체소자및그제조방법
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

금속산화물구조에게이트를 형성하는 금속산화물반도체형 HEMT의 경우,
고주파동작을위해게이트 길이를줄여야함
⇒ 게이트를 통하여 채널로 누설전류를 증가시키는 요인으로 작용

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- 나노금속산화물시장규모는예측기간중6% 이상의CAGR로성장할것으로예측되고, 질화
갈륨RF 반도체소자시장은예측기간(2021-2027)동안30%의CAGR 로성장할것으로예상됨
- 무선인프라에대한모바일전화,라디오및텔레비젼방송,MRI 기계,레이더,우주 및위성
통신뿐만아니라, 군통신등에도RF GaN반도체장치에중요한역할을함
- 질화갈륨(GaN)을 수 있는 재료의 생산에 사용된 반도체는 전원 장치뿐만 아니라 RF
구성 요소 및 발광 다이오드(Led). GaN 은 전력 변환,RF 및 아날로그 응용 분야에서
실리콘 반도체의 변위 기술이 될 수있는 능력이 입증됨
기술활용 분야
✓ 절연체 또는 유전체로서 다양한 전자 소자(반도체)에 활용 중

스마트폰

기술활용 분야
✓ 플렉서블분야-플렉서블디스플레이,웨어러블디바이스등

바이오 센서

기술활용 분야
✓ 센서분야-바이오센서,가스센서등

플렉서블 디스플레이

특장점
계면오염문제해결
반도체층(AlxGa1-xAs층)을선택적으로 산화시켜게이트산화막을형성함으로써 반도체와산화물사이의계면오염문제를 해결함
공정비용감소및용이성확보
에피택셜박막증착장치를이용하여 원자층증착장치보다저가의산화장치로 구현可
우수기술 Gyeonggi Technology Market