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고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법

보유기관 및 연구자 : 관리자

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 고가의기판을재활용할수있으면서도격자부정합을최소화하고, 유연한센서제작에도 활용할수있는질화갈륨계고전자이동도트랜지스터구조를가지는센서의제조방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

사파이어기판이나 실리콘카바이드, 실리콘기판등을사용함
⇒ 고가의 기판 사용, 큰 격자 부정합으로 인한 결함증대에 따른 센서 감도
저하, 단단한 기판을 사용하기 때문에 유연한 센서 제작이 어려움

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 고전자이동도트랜지스터(HEMT)의 시장규모는 2017년28억달러에서2030년까지5%의
연평균성장률(CAGR)을 보일것으로전망됨
- AlGaN/GaN HEMT 센서는 실리콘 기반 센서와비교할 때, 화학적 물리적으로 안정적이며
감도가 우수한 장점이있어 다양한 분야에 활용될것으로 전망됨
- 전세계 센서 시장규모는 2019년1666억9000만달러로 평가됐으며, 2028년에는3457억
7000만달러에 달해8.9%의연평균복합 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됨

기술활용 분야: ✓ 가스(수소), 화학물질, 생체 물질 등의 검출이 요구되는 산업분야
✓ 레이더 분야 - 차랑 감지용 레이더 센서, 자율주행 카메라 센서

차량용 레이더

특장점