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반도체소자제작용레이저 리프트오프방법및그에의해 제조된반도체소자

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
반도체소자제작용레이저 리프트오프방법및그에의해 제조된반도체소자
보유기관 및 연구자 : 조주영
  • 특허정보

    반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 (No : 10-2016-0184219 )

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
희생분리층, LLO공정, 기판 분리, 높은 수율, 선택적 분리
기술개요
분리를원하는영역에희생분리층을도입하여분리하고자하는대상의제한이없도록하는 반도체소자제작용레이저 리프트오프방법및그에의해제조된반도체소자
주요 기술내용

시장 및 기술동향
- 시장조사회사 IC인사이츠(IC Insights)가 공개한 ‘2022 액클린 리포트(McClean Report)
반도체 산업 최신 보고서에는 전 세계 반도체 매출이 향후 5년간 연평균(CAGR) 7.1%
성장할 것이라고 예상
- 8일 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 소자 시장은 2021년부터
2027년까지 연평균 59%의 높은 성장률을 기록할 전망임
- 질화갈륨은 기존 전력반도체에 비해 열에 강하고 전력 밀도가 높아 실리콘의 3분의 1
수준으로 소형화가 가능해져 반도체 산업에 크게 기여할 것으로 전망됨
기술활용 분야
✓ 질화물계반도체층이사용되는모든반도체소자
✓ 마이크로LED및광검출기등광응용제품

스마트 워치 Apple watch

기술활용 분야
✓ 트랜지스터–HEMT(HighElectronMobility),HFET(HeterostructureFET),2DEG트랜지스터등

디스플레이

기술활용 분야
✓ 기판-이종기판,방열기판,고분자(플렉서블)기판과같은다양한기판에전사

플렉서블 태양전지 기판

특장점
공정효율및수율개선
분리를원하고자하는영역에희생분리층을 자유롭게설치할수있어분리영역선택이가능
장파장의레이저를사용하여지지기판방향뿐만 아니라질화물계반도체층으로도레이저조사가능
반도체층및반도체소자의특성개선
희생분리층의위치및질화불계반도체층내부의 극성(polarity)제어가가능하여질화물계반도체층및 반도체소자의특성이개선됨
우수기술 Gyeonggi Technology Market