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스텝형3차원블락킹패턴을이용한 반도체발광다이오드소자의제조 방법및이에의해제조된반도체 발광다이오드소자

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

스텝형3차원블락킹패턴을이용한 반도체발광다이오드소자의제조 방법및이에의해제조된반도체 발광다이오드소자

보유기관 및 연구자 : 정상현

특허정보
스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의 해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 (No : 10-2012-0153425)
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 기판에스텝형3차원블락킹패턴을적용함으로써반도체층의결함을최소화하여발광 다이오드소자효율을향상시키는스텝형3차원블락킹패턴을이용한반도체발광 다이오드소자의제조방법및이에의해제조된반도체발광다이오드소자

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

사파이어등의기판과반도체층인 GaN간의격자상수및열팽창계수불일치로
인한반도체층의 결함을 해소하고자 2차원블락킹패턴도입
⇒ 여전히 결함이 존재하여 반도체 발광다이오드 소자의 효율 감소

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - GrandView Research Inc.의새로운연구에따르면, 세계LED 조명시장규모는2030년까지
1329억6천만달러에달하며, 2022년부터2030년까지10.5%의CAGR을보일것으로예상됨
- 최근 발광효율이 좋고, 소비 전력이적으며, 램프 수명이 긴발광다이오드(LED)에 대한 관심이
증가하고 있으며, 특히 반도체를이용한발광 다이오드는 디스플레이의 백라이트 유닛, 일반
조명 등여러 분야에사용되고 있음
- 질화갈륨(GaN)과 같은질화물계화합물 반도체를 이용하는 청색 발광다이오드가 개발되면서
다양한 색상의 연출이가능하게되었으며, 다양한분야로 광범위하게 사용되고 있음

기술활용 분야: ✓ 디스플레이 분야-컴퓨터, 태블릿PC,스마트폰, 스마트 워치, 대형 스크린 등

SAMSUNG 社 Galaxy Fold

특장점