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4원계질화물전력반도체소자및 이의제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

4원계질화물전력반도체소자및 이의제조방법

보유기관 및 연구자 : 김종민

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 갈륨면4원계질화물에작용하는응력을조절함으로써분극을조절하여2차원전자가스
형성위치가역전된갈륨면4원계질화물전력반도체소자및이를제조하는방법

✓ 2차원 전자가스(2DEG) - 2차원 내에 단단히 구속된 전자들의 무리

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

질소면(N-face)으로성장한 AlGaN/GaN/SiC기반HEMT의질소면구조는성장시에
표면이거칠어결정품질이갈륨면소자와비교할때저하됨
⇒ 전자이동도감소의문제가있음

• 본 기술의 해결방안

갈륨면 InAlGaN의 분극을 제어하여 질소면 HEMT에서만 가능하던 buried channel을 갈륨면 HEMT에서 형성 → 결정품질의 저하 없는 질소면 HEMT의 소자를 구현

시장 및 기술동향: - YOL 자료에따르면, 전력반도체(Power IC)가전체반도체산업의전반적인상황에따라2018-
2023년3.6%의복합연성장률로2023년22,700백만달러에이르며, 여러주요엔즈마켓의
혜택을받을것으로예측됨
- 국내 전력반도체(Power IC) 시장규모는 세계시장의 약 5%정도 점유하고있는 것으로 나타나,
2023년에는약 13,177억원규모의시장으로 성장할 것으로 에상됨
- HEMT는양자컴퓨터와 차세대 6G 무선통신등 다양한 분야에서 응용할수 있어 그확장성이
매우 큰기술이며 양자컴퓨터의 실용화를 앞당길 수 있는기술로 기대됨

특장점