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반도체 장치 및 그 제조 방법 [Semiconductor device and method for fabricating the same]

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

기술 정보
  • 기술분야

    반도체

  • 현재 권리자

    삼성전자 주식회사

  • Main IPC

    H01L 29/78

  • 존속기간 만료예정일

    2032-09-14

  • 출원번호
    (출원일)

    10-2012-0102241
    (2012.09.14)

  • 등록번호
    (등록일)

    10-1913765
    (2018.10.25)

기술개발 목적
- 최근 게이트와 채널 사이의 커패시턴스를 증가시키고, MOS 트랜지스터의 동작 특성을 향상시키 기 위하여 여러 가지 연구가 진행되고 있음 - 유전막은 얇은 등가산화막 두께를 유지하면서 게이트 전극과 채널 영역간의 누설 전류를 감소시킬 수 있으며, 기존의 실리콘 산화막을 대체하기 위해 고유전 상수를 갖는 고유전막에 대한 연구가 활 발히 진행 중이며, 본 발명을 통해 트랜지스터의 문턱 전압(Vt) 조절이 용이한 반도체 장치를 제공하 고자 함
기술의 효과
- 본 발명의 반도체 장치는 기판, 트렌치를 포함하는 층간 절연막, 트렌치 내부에 형성되는 인터페 이스막, 게이트 절연막, 캡핑막, 식각방지막, 조절막, 확산막, 확산 방지막 및 게이트 메탈 구조체 등을 포함하고 있음 - 이를 통해, 열처리 수행 동안 메탈 구조체에 포함된 확산물이 게이트 절연막 내부 또는 상부로 확산되지 않는 트랜지스터의 문턱 전압(Vt) 조절이 용이한 반도체 장치반도체 장치를 제조할 수 있음
적용 산업분야
반도체

*출처 : 첨단 헬로티

시장규모 및 전망
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨

*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행

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